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申論題資訊

試卷:110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#101633
科目:半導體工程
年份:110年
排序:0

申論題內容

二、在化學氣相沉積(CVD)方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應 出其成長機制?請解釋此兩種之意義?又那一種為 CVD 成長較希望控 制之成長機制,為什麼?(15 分)