申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：114年 - 114 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#128720
科目：半導體工程
年份：114年
排序：0

五、(一) 近代矽製程多使用離子布植（ ion implantation）技術製作淺接面
（shallow junction），之後再以快速熱退火（rapid thermal annealing,
RTA）進行後續處理。請說明使用快速熱退火的原因。（10 分）