五、以 n 型通道元件為例，請畫出金氧半場效電晶體增強型模式結構與空乏型模式結構, 並分別解釋如何運作。（20 分）

四、矽的 PN 二極體屬單邊陡接面二極體(one-sided abrupt junction)，其 NA=2×1019 cm-3， ND=1×1016 cm-3，請計算其二極體之內建電壓(Vbi)，空乏區(W)，接面電容(在 0V 時) 。 Note：矽本質濃度 9.65×109 cm-3，介電常數 11.7。（12 分）