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107年 - 107 專技高考 電子計算機原理#72992
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五、何謂空間局部性(Spatial Locality)?存取局部性(Locality of Reference) 對電腦記憶體的影響為何?(20 分)
詳解 (共 3 筆)
000
詳解 #3252077
2019/03/19
空間局部性指的是,最近參照過的記憶體位置...
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Andy Wu
詳解 #3641387
2019/10/29
(共 1 字,隱藏中)
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MOMO
詳解 #3250505
2019/03/18
Spatial Locality Lo...
(共 41 字,隱藏中)
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六、何謂網頁置換或網頁竄改(Web Defacement)攻擊?為何網頁置換深受 駭客喜愛?(20 分)
#297311
⑴增益大小及相位角值。(10 分)
#297312
⑵當高頻增益大小限制為 100 時,試計算串接於電容上之所需電阻值。 (10 分)
#297313
⑴在忽略厄立效應(Early effect)下,其基極(VB)、射極(VE)與汲極 (VC)之直流電壓值。(10 分)
#297314
⑵在小訊號模型下,其轉導(gm)、輸入電阻(rπ)與輸出電阻(ro)值。 (10 分)
#297315
三、⑴已知一 p 通道場效電晶體(JFET),其自給偏壓(假設 VGS= 5 V)之 電路參數為:IDSS = 25 mA 且 VGS(off)= 15 V、VGS= 5 V,試求其源極 電阻(RS)值。(10 分)
#297316
⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體(E-MOSFET),其電路參數 為:VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2 。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V,試計算 其汲極電流(ID)值。(10 分)
#297317
四、考慮如圖 2 之金氧半電晶體(NMOS)電路(忽略通道長度調變效應, 即λ = 0),其電路參數:VDD = -VSS = 2.5 V、Vt= 1 V、μn Cox = 60 μA/V2 、 W/L = 120 μm/ 3 μm。為使電晶體操作在 ID = 0.3 mA、VD = +0.4 V 時, 試計算所需 RD及 RS之電阻值。(20 分)
#297318
一、設 一 矽 二 極 體 pn 接面之摻雜濃度與摻雜濃度 且本質濃度 ,試求於T= 300 K 時之內建 電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。(25 分)
#297319
二、設一增強型 n-通道金氧半場效電晶體(NMOS transistor),已知其 、 W =400 μm、 L =10 μm 、 V t = 1.2 V 以 及 λ = 0.01 V -1 ,分別試求其操作於偏壓電壓 VGS = 2V下之 gm 與 ro值,以及 於偏壓電流 值。(25 分)
#297320
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