申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_一般化工：化學反應工程學#38207
科目：化學反應工程學
年份：96年
排序：0

申論題內容

五、四氫化矽（SiH₄）經化學氣相蒸鍍反應，可在矽種晶上生長為矽粒，其反應速率式為 r" = k"C_SiH4，k" = 10 cm/min。假設矽粒形狀為球體，矽密度為 2.33 g/cm³ ，分子量為 32，請問在 T = 200℃和 P_SiH4 = 0.1 atm 反應條件下，矽粒由 2µm 成長至 15µm 需要多少時間？（20 分）