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半導體工程
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103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
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五、說明離子佈植(ion implantation)的基本原理。以離子佈植植入雜質的方法與 擴散法比較有何優點?離子佈植後為何需要熱處理?說明離子佈植的通道效應 (channeling effect),舉出一種消除的方法。(15 分)
相關申論題
六、Si 的 SiO2 熱成長可用 Deal-Grove 模型來描述:tox2 + A tox = Bt,公式中 tox 為氧化層厚 度、t 為氧化時間、A 與 B 為相關之參數。以 1000˚C 做乾氧成長時,A = 0.165 μm、 B = 0.0117 μm2/hr。成長 10 小時,問 SiO2 的厚度。若 tox>>A,證明 SiO2 的成長速 率與 tox 成反比,並說明其物理意義。(15 分)
#117859
autochthonous rocks
#117860
allochthonous rocks
#117861
klippe
#117862
fenster(window)
#117863
二、請說明沈積岩層內變形帶(deformation band)的特徵和成因。(10 分)
#117864
三、請根據伸張性和擠壓性的三軸岩石力學脆性破壞實驗以及莫耳包絡線(Mohr envelope),說明在張裂性和擠壓性地體構造環境下大陸地殼脆性變形強度的差異。 (20 分)
#117865
四、請說明上下斷坪(upper and lower flats)平行地層的簡單斷層彎曲褶皺(simple-step fault-bend fold)在不同演化階段的幾何形貌(包括褶皺軸面和彎曲的斷層面之間的 相交關係)。(25 分)
#117866
五、請說明泥岩自沈積埋深開始經受到水平最大主應力的構造作用的過程中不同型態劈 理(cleavage)的演化。(25 分)
#117867
一、1938 年美國杜邦公司 Carothers(聚縮合反應之父)發明耐隆 66(nylon 66)造成大轟動, 歐洲為了突破專利而開發耐隆 6(nylon 6),此兩種重要的合成聚醯胺(Polyamide)纖維 之性質有何差異?(5 分)略述各別的製造方法。(15 分)
#117868
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