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半導體工程
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99年 - 99 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40348
> 申論題
五、請繪圖說明薄膜沈積的 sidewall step coverage 和 bottom step coverage 的定義,並簡 單解釋這兩個值通常小於 1 的原因。(15 分)
相關申論題
二、請寫出載子遷移率(mobility)和載子平均移動速度的關係式。並解釋為什麼電場很 強的時候,載子遷移率會降低。(20 分)
#123853
三、有一p-n接面,如果逆向偏壓 1V時候的電容值是 1 nF/cm2,請問總空乏區寬度是多 少?(15 分)(提示:εr(Si) = 11.7,εo = 8.854×10-14 F/cm)
#123854
四、請畫出 p-型矽基板的金氧半電容的高頻與低頻電容-電壓特性曲線,並說明為何不同。 (20 分)
#123855
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
(一)在 t =0 秒時,多數載子和少數載子的濃度各為多少?(10 分)
#560348
(三)請說明各電流形成之機制。(8 分)
#560347
(二)一個實際的矽 p – n 接面二極體在順偏導通狀態下,有那些電流成分? (8 分)
#560346
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