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半導體工程
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99年 - 99 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40348
> 申論題
五、請繪圖說明薄膜沈積的 sidewall step coverage 和 bottom step coverage 的定義,並簡 單解釋這兩個值通常小於 1 的原因。(15 分)
相關申論題
⑴ quadratic elongation
#123858
⑵ thin-skinned deformation
#123859
⑶ angular shear
#123860
⑷ dynamic recrystallization
#123861
⑸ stylolite
#123862
⑹ frontal thrust
#123863
二、北宜高速公路建築時,坪林隧道因遭遇破碎岩體,產生嚴重滲水,以致嚴重影響工 程施工之進度。請由構造地質學的觀點,討論影響岩體破碎程度的因子,並說明其 影響。(20 分)
#123864
三、透過野外的調查,我們了解車籠埔斷層的變形帶寬度可達幾百公尺。假設車籠埔斷 層之位態為南北走向且向東傾斜 30 度。請討論在此一數百公尺寬的斷層帶中,可 能發育次生斷層的位態及其運動形式。(20 分)
#123865
四、假設地球沒有內營力的作用,請由應力分析的觀點,討論此時地表下深度 H 公里處 的岩層,其所處的應力狀態。並請說明此時岩體是否會有斷層的發育?為什麼? (10 分)
#123866
五、平行褶皺(parallel fold)的幾何特性為何?(5 分)為何在堅硬且層理發達的沉積 岩層,較常見到平行褶皺的發育?(5 分)
#123867
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