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99年 - 99 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40348

科目：半導體工程 | 年份：99年 | 選擇題數：0 | 申論題數：6

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (6)

【已刪除】一、如圖所示的三種 0K 的能帶圖，何者是導體、半導體、絕緣體？請說明理由。（15 分） 
二、請寫出載子遷移率（mobility）和載子平均移動速度的關係式。並解釋為什麼電場很 強的時候，載子遷移率會降低。（20 分）
三、有一p-n接面，如果逆向偏壓 1V時候的電容值是 1 nF/cm2，請問總空乏區寬度是多 少？（15 分）（提示：εr(Si) = 11.7，εo = 8.854×10-14 F/cm）
四、請畫出 p-型矽基板的金氧半電容的高頻與低頻電容-電壓特性曲線，並說明為何不同。 （20 分）
五、請繪圖說明薄膜沈積的 sidewall step coverage 和 bottom step coverage 的定義，並簡 單解釋這兩個值通常小於 1 的原因。（15 分）
【已刪除】六、下圖是一個典型的離子佈植機的架構，請說明圖中 Analyzing magnet、Acceleration tube、y-axis scanner 的作用。（15 分）