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半導體工程
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99年 - 99 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40348
> 申論題
三、有一p-n接面，如果逆向偏壓 1V時候的電容值是 1 nF/cm
2
，請問總空乏區寬度是多 少？（15 分）（提示：ε
r
(Si) = 11.7，ε
o
= 8.854×10
-14
F/cm）
相關申論題
二、請寫出載子遷移率（mobility）和載子平均移動速度的關係式。並解釋為什麼電場很 強的時候，載子遷移率會降低。（20 分）
#123853
四、請畫出 p-型矽基板的金氧半電容的高頻與低頻電容-電壓特性曲線，並說明為何不同。 （20 分）
#123855
五、請繪圖說明薄膜沈積的 sidewall step coverage 和 bottom step coverage 的定義，並簡 單解釋這兩個值通常小於 1 的原因。（15 分）
#123856
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
(三)請說明各電流形成之機制。（8 分）
#560347
(二)一個實際的矽 p – n 接面二極體在順偏導通狀態下，有那些電流成分？ （8 分）
#560346
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