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申論題

試卷：102年 - 102 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39521
科目：半導體工程
年份：102年
排序：0

申論題資訊

試卷：102年 - 102 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39521
科目：半導體工程
年份：102年
排序：0

申論題內容

五、請說明金氧半場效電晶體（MOSFET）的汲極電流-汲極電壓特性的線性區和飽和區 的形成原因。（10 分）