五、利用離子佈質技術摻雜 P 型離子進入 N 型 ZnO 薄膜內，經過退火後因為晶格互相取代及缺陷化學平衡關係，化學成分及雜質分布會產生重新排列分布之情形，請問分別可以利用什麼分析技術將所有化學成分及鍵結在試片內之分布作一完整之分析了解，並簡述其原理。（20 分）

一、我們了解優選方向（preferred orientation）或織構（texture）在材料是一個相當普遍之現象。例如，沉積於矽基板上之多晶薄膜常包含具有特定晶向之柱狀晶。請問如何利用 X 光繞射方法去探討材料織構組織？（10 分）是否 θ − 及低掠角（glancing angle）兩種 X 光繞射方法都可以被採用來做此分析？（10 分）