⑵依據⑴之結果試說明氧化過程的機制為何？

⑴試繪出此 DRAM 結構的剖面圖（cross-sectional view）。

⑵欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩（mask）？請按製程流程（process sequence），寫下光罩層的名稱與其目的。 Al electrode for capacitor Al Al Gate Field Oxide n＋ n＋ Gate oxide p-type Si 圖二

⑴分別計算：甲公司 X1 年帳列之投資收益為何？甲公司 X2 年 12 月 31 日帳列 「投資乙公司普通股」之餘額為何？X3 年合併綜合損益表中非控制權益 淨利之金額為何？X3 年 12 月 31 日合併資產負債表上之非控制權益之金額為 何？（12 分）

⑵甲公司 X3 年帳上與投資乙公司相關之所有分錄。（8 分）

⑴分別計算 X1 年合併綜合損益表上債券推定贖回損益的金額為何？X1 年合併 綜合損益表上利息收入及利息費用的金額為何？X1 年 12 月 31 日合併資產負 債表上應收利息及應付利息的金額為何？（6 分）

⑵編製 X1 年合併工作底稿上關於公司間債券交易的調整與沖銷分錄。（4 分）

⑴ X2 年 12 月 31 日呼市公司「投資大豐公司」帳戶餘額。（假設大豐公司 X2 年底換算為新臺幣後資產負債表上之 「其他權益－兌換差額」為借餘$25,000）。 （5 分）

⑵大豐公司 X3 年 12 月 31 日換算為新臺幣後資產負債表上保留盈餘之金額。 （5 分）

四、甲公司於 X1 年 5 月 1 日預期將在 6 月 1 日向美國乙公司購入機器設備（該預期 交易高度很有可能發生），預期購入成本為 100,000 美元。甲公司乃於 X1 年 5 月 1 日與銀行簽訂一項歐式外匯美元買權合約，名目本金 100,000 美元，履約價格 為 l 美元兌換新臺幣 33 元，合約期間 l 個月，權利金為名目本金之 1%，合約 以淨額交割。X1 年 5 月 1 日及 6 月 1 日之美元對新臺幣即期匯率分別為 33 及 33.62 。甲公司將前述選擇權之內含價值變動指定為預期購買機器設備交易之匯率風 險避險工具，假設此避險操作合乎所有避險會計之條件。甲公司於 Xl 年 6 月 1 日以 100,000 美元購入美國乙公司之機器設備。另外，該公司之會計政策係將 避險工具之相關利益或損失作為該機器設備成本之調整。 試作：Xl 年甲公司有關選擇權合約與購買機器設備之所有分錄。（10 分）

⑴輸出時間響應為何？

114年 - 114 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#131604

113年 - 113 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#123067

112年 - 112 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#116710

111年 - 111 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#110949

110年 - 110 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#101920

109年 - 109 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#91527

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106年 - 106 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#66330

104年 - 104 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#41686