申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：103年 - 103 高等考試_二級_電子工程：電子元件#43106
科目：電子元件
年份：103年
排序：0

⑵在製作矽元件或矽積體電路時，我們常用氮化矽（Silicon Nitride，Si₃N₄）作為絕緣層或披覆層（Passivation Layer），如果要以氮化矽作為絕緣層與披覆層，應該分別使用何種技術成長？請說明原因。（每小題 10 分，共 20 分）