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申論題資訊

試卷:101年 - 101 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39546
科目:半導體工程
年份:101年
排序:0

題組內容

三、某pn接合面在n區之熱平衡少數載子濃度為 pn0 = 106 cm-3,電洞之擴散係數( diffusion coefficient)為Dp =15cm2/s,電洞少數載子壽命(minority carrier lifetime) 為τp0 = 6×10-7 s,q = 1.6×10-19 C,常溫下 1 kT/q = 0.0259 V:

申論題內容

⑵當加上逆偏壓使得xn 處之電洞濃度為零,請繪出此時之電洞少數載子濃度分布 示意圖,並求出在xn處由n區流入空乏區之電洞擴散電流密度Jp(xn) =?(10 分)