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申論題資訊

試卷:97年 - 97 高等考試_二級_電子工程:電子元件#49140
科目:電子元件
年份:97年
排序:0

題組內容

五、長通道 n 型 MOS 電晶體操作在三極管區(triode region)時的 I-V 方程式是

申論題內容

⑵當通道變短汲極電壓使得電子在水平方向的速度飽和時(不考慮通道的串聯電阻), 說明上式需如何修正?(7 分)