申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：103年 - 103 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#43082
科目：積體電路技術
年份：103年
排序：0

三、在離子佈植製程中，若以 1000 keV 的能量，將 10¹⁵/cm²的硼劑量（boron dose）植入一 n 型 Si 中（設 Si 之摻雜濃度為 10¹⁵/cm³），又植入之硼離子的濃度分佈如圖一所示，試問：（每小題 10 分，共 20 分）

⑵設入射硼離子的平均投影範圍（projected range，Rp）為 1.756 μm，而投射游走（projected straggle，ΔRp）為 0.1364 μm，試計算圖一中接面深度（junction depth） x_j1 與 x_j2 各為何？