申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：103年 - 103 高等考試_二級_電子工程：積體電路技術#43082
科目：積體電路技術
年份：103年
排序：0

一、設一鋁銅矽（Al-Cu-Si）合金膜的電阻率（resistivity）為 3.2 μohm-cm，試問：（每小題 5 分，共 20 分）

⑶若將⑵所示之合金膜製成兩條平行線，並間隔以 1 μm 寬的 SiO₂（SiO₂ 的相對介電係數(relative permittivity)為 3.9，真空中介電常數為 8.854 × 10^-14 F/cm），則其對應之電容值（capacitance）為何？