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半導體工程
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107年 - 107 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#71146
> 申論題
題組內容
三、假設在一半導體中之載子傳輸以漂移(drift)為主要機制:
⑵請寫出 μ 之物理單位?(5 分)
詳解 (共 2 筆)
hchungw
詳解 #5059129
2021/09/02
μ是以 m
2
/(V·s)為單位的
電子遷移率
is hello
詳解 #4560008
2021/02/24
電荷能量可以使用其電位變化之電子伏特描述...
(共 154 字,隱藏中)
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相關申論題
四、假 設 在 矽 ( Si ) 半 導 體 中 , 其 電 子 濃 度 依 位 置 x 變 化 之 分 布 函 數 可 表 示 為 n( x) = 1015 e − x / Ln cm − 3 ( x ≥ 0) ,電子之擴散長度(diffusion length) Ln = 10− 4 cm ,電 子之擴散率(diffusivity) Dn = 25 cm 2 / s ,單位電量 q = 1.6 × 10 −19 C 。試求在 x = 2 μm 處,電子擴散電流密度 J n = ?(10 分)
#285945
五、請說明 p-n 接面因外加逆向偏壓、導致接面崩潰(junction breakdown)時,常見之兩 種物理機制?(10 分)
#285946
六、請分別說明:短通道效應(short-channel effect)及窄通道效應(narrow-channel effect) , 對於金屬-氧化物-半導體場效電晶體(MOSFET)臨界電壓(threshold voltage, VT) 之影響?(10 分)
#285947
七、「基極寬度調變(base width modulation)效應」為雙極性電晶體(bipolar transistor) 非理想效應(nonideal effects)之其一,請說明導致此效應之原因及其對於電晶體共 射極輸出特性曲線(IC -VCE)之影響?(10 分)
#285948
⑴請列出可行的方案組合。 (5 分)
#285950
⑵求在此預算下最佳執行之方案組合為何?(15 分)
#285951
⑴試製作出 A、B 兩案的稅後現金流量表。(10 分)
#285952
⑵分別以年值法、現值法評估方案的選擇。(10 分)
#285953
⑴根據半年付款約定,求三方案的半年及一年的名目利率。(10 分)
#285954
⑵承上題,求三方案的半年及一年的實際利率。並決定該選擇那一個付款方案最為 有利?(10 分)
#285955
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