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102年 - 102 高等考試_二級_電子工程：電子元件#44031
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⑵請說明在金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）中常觀察到的長通道效應與短通道效應，它的關鍵區隔是什麼？（10 分）
相關申論題
⑵對於 p 與 n 濃度皆為低度摻雜（Lightly Doped）的 p-n 二極體，當 p-n 二極體工 作在很大的逆向偏壓會產生崩潰（Breakdown）現象，此時之電壓稱為崩潰電壓。 當它的工作溫度上升時，此 p-n 二極體的崩潰電壓會上升或減少？請說明原因。 （10 分）
#143616
三、⑴現今半導體製程都使用 n 型高摻雜的多晶矽做為 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）的射極層與歐姆接觸層，以取代傳統的 n 型高摻雜單晶 矽與金屬歐姆接觸層，請說明原因。（10 分）
#143617
⑵對於一雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT），當它的工作溫度 上升時，請問電流增益（β）是增加或降低？請說明原因。（10 分）
#143618
四、⑴對於一金屬-氧化層-半導體的金氧半電容（MOS Capacitor）元件，若使用 p 型的 基板，請畫出基板電荷對閘極電壓（Qsub versus VG）的關係圖，並指出累積區、 空乏區與反轉區。（10 分）
#143619
五、⑴ 通 常 成 長 二 氧 化 矽 （ SiO2 ） 或 矽 的 氧 化 層 薄 膜 的 方 式 有 熱 氧 化 法 （ Thermal Oxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相 沉 積 （ Chemical Vapor Deposition ） ， 與 電 漿 加 強 式 化 學 氣 相 沉 積 （ Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體 （MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。 （10 分）
#143621
⑵若以熱氧化法（Thermal Oxidation）在矽晶圓上成長二氧化矽（SiO2）薄膜，已 知矽的原子量是 28，矽的密度是 2.33；氧的原子量是 16；二氧化矽的密度是 2.2。 請問矽晶圓消耗的厚度占成長出二氧化矽薄膜的厚度的百分之幾？（10 分）
#143622
一、⑴通常我們定義半導體中的電子質量為有效電子質量（Effective Electron Mass, m*e）， 請說明為什麼半導體中的電子質量不同於一般在真空中的電子質量（m0）。（10 分）
#143613
⑵請寫出愛因斯坦關係式（Einstein Relationship），並說明其物理意義。（10 分）
#143614
二、⑴對於一工作於逆向偏壓的蕭特基二極體（Schottky Diode），若蕭特基二極體的半 導體為 n 型，請問負電極是接在金屬邊或 n 型半導體邊？若蕭特基二極體的半導 體為 p 型，請問負電極是接在金屬邊或 p 型半導體邊？並說明原因。（10 分）
#143615
五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流（）；⑵截止電流（）；⑶臨界電壓（）；⑷次臨界擺幅（SS）；以及⑸汲極導致位障下降（DIBL）之影響。
#554264
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