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99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：電子元件#46323
> 申論題
題組內容
四、
⑵鍺在基極的濃度須如何設計，為什麼？（10 分）
相關申論題
⑴當外加偏壓 V=0 時，空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少？
#157861
⑵當外加偏壓 V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少？
#157862
⑶當外加偏壓 V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的過量少數載子（excess minority carrier） 濃度分別是多少？
#157863
⑷當外加偏壓 V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的多數載子濃度分別是多少？
#157864
⑴累積區電容。
#157865
⑵空乏區電容。
#157866
⑶反轉區電容。
#157867
⑷平帶電壓（flat-band voltage）。
#157868
⑸臨界電壓（threshold voltage）。
#157869
⑴什麼是複晶矽閘極空乏現象（poly-Si gate depletion）？（10 分）
#157870
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