題組內容

四、在反應離子蝕刻（reactive ion etch - RIE）製程中採用XeF2及Ar氣體進行Si之蝕刻，其 蝕刻速率為R，製程中含有化學蝕刻機制及物理蝕刻機制。

⑵若只有XeF2之蝕刻速率為Ra，只有Ar氣體時之蝕刻速率為Rb，請問Ra+Rb速率和 與R何者較大？請說明理由。（10 分）