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半導體工程
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95年 - 95 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40532
> 申論題
題組內容
六、若一光阻塗佈於晶圓上，其圖案如圖二，請於試卷上繪出
⑶以電鍍製程鍍膜，⑷以熱蒸鍍系統鍍上金屬後，個別之表面圖案為何？（20 分）
相關申論題
一、請說明積體電路（IC）製程中 “ 60 奈米＂ 製程代表何種意義？是指何種元件之那一 部分之尺寸？（10 分）
#125006
二、無塵室潔淨度之定義 class 100 代表何種意義？（10 分）
#125007
⑴若電阻材料為鋁，其電阻率 3 µΩ · cm，其尺寸為 寬：3 µm，厚度：1 µm，長度：500 µm。（10 分）
#125009
⑵若電阻材料為銅，其電阻率 2 µΩ · cm，其尺寸為 寬：0.3 µm，厚度：0.5 µm，長度：1 mm。（10 分）
#125010
⑴計算並繪出以電壓為函數之輸出功率圖。（10 分）
#125011
⑵計算填滿因子（Fill Factor）。（10 分）
#125012
⑴濕蝕刻，⑵電漿蝕刻，
#125013
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
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