題組內容

二、矽(Si)薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷(SiCl4)與氫氣(H2)在平面基板上 以氣相沉積方式鍍膜,設 S 為鍍膜表面活性位置(active site),整體反應機制如下: 

⑶請問此反應機制是遵守 Eley-Rideal 還是 Langmuir-Hinshelwood 理論。(4 分)