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首頁 > 研究所、轉學考(插大)◆電子學 > 110年 - 110 國立臺灣大學_碩士班招生考試_電子工程研究所丙組:電子學(E)#101293 > 申論題

1.(15%) Please analyze the operational cireuit shown as Figure 1. Find the output current as a function of

相關申論題

(a) (10%) Please find the DC biased current at the collector of Q1 and Q2.

(b) (10%) Please find the small-signal gain of

(a) (3%) Please write down the topology of the MOSPET amplifer of each circuit

(b) (4%) Please derive the small-signal gain of Fig. 3(a)

(c) (4%) Please derive the small-signal gain of Fig. 3(b)

(d) (4%) Please derive the small-signal gain of Fig. 3(c)

(a) (5%) Please sketch the CMOS circuit for a static four-input NAND gate.

(b) (6%) For a static four-input NAND gate with n = 1.5 and p = 3, please give the sizes (W/L) of all transistors.

(c) (4%) For the static four-input NAND gate, find the ratio of the maximum to minimum current available to (a) charge a load capacitance and (b) discharge a load capacitance.

(a) (4%) Determine the value of Ro.

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