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研究所、轉學考(插大)◆內外科學
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最新試卷
115年 - 115 台灣自來水公司股份有限公司_評價職位人員甄試試題_技術士工程類、技術士工程類(限原住民族報考):專業科目B_電腦繪圖(AutoCad)#144616(50題)
115年 - 115 臺南市政府及所屬各機關學校約聘(僱、用)、臨時人員集中辦理公開甄選口試一般性考題題庫#144594(50題)
115年 - 財物及勞務採購作業-是非題 251-264(115/08/28 更新)#144578(14題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科阿拉伯文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(阿拉伯文)#144576(23題)
115年 - 115-2 資訊安全工程師能力鑑定中級:資訊安全規劃實務#144574(40題)
115年 - 115-2 資訊安全工程師能力鑑定中級試題:資訊安全防護實務#144572(40題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科葡萄牙文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(葡萄牙文)#144570(23題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科韓文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(韓文)#144569(25題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科日文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(日文)#144568(25題)
115年 - 115 國際經濟商務特種考試_三等_國際經濟商務人員類科日文組:外國文(日文)#144567(25題)
最新試題
78. 將 24V 電壓源重新接到電路上,再使 用電壓表 V 量測 c、d 兩端之電壓, 則電壓表顯示之電壓為何? 統測 113 (A)2V (B)4V (C)6V (D)8V
77. 將 24 V 電壓源移除且所有電容器皆 放電完成後,若使用 LCR 表之電容量測檔位,則由 a、b 兩端所量測之等效電容量為何? 統測 113 (A)1μF (B)2μF (C)3μF (D)4μF
76. 將一個 10 法拉的電容以 3 安培的電流充電 20 秒後,馬上將電容接到一個 12 伏特的電池。當達穩定狀態後,此電容由電池所獲得的電能為多少焦耳? 地方特考 112 (A)180 焦耳 (B)360 焦耳 (C)540 焦耳 (D)720 焦耳
最新申論題
10.Let. Compute
9. The curve is an arc of the circle . Find the area of the surface obtainedby rotating this arc about the x-axis.10. Let. Compute.
8. Find the Maclaurin series for, and determine the interval ofconvergence.
最新課程
藥師一階國考 生物藥劑考題 分章節國考歷屆試題
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菜餅
簡介:
參考考選部公告之命題大綱,分章節的生物藥劑學練習題,藥學系準備藥師國考一階之試題。 若有錯誤,請告知...
犯罪學概要
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YK
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本課程綜合考試、自身經驗,共筆筆記、網學資料,將繁瑣難懂的理論內容,以簡化清晰的筆記、表格、圖表、記...
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台中大雅家教-睿智數學及英文家教,王瑞志老師
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115年 消防設備士 必勝!!!
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希望能快脫穎而出!
外國人從事就業服務法第四十六條第一項第八款至第十款工作資格及審查標準
描述:
第25條(製造業外國人基本配額) |原則:製造業聘僱外國人要依附表六的配額比例。 |白話: 1. 如...
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動作發展
最新討論
67 護理病人分類系統中,因素分類法是依下列何種指標分類? (A)護理活動項目 (B)病人診斷 (C)病人疾病嚴重度 (D)疾病階段
57.急性前骨髓性白血病(acute promyelocytic leukemia, APL)主要致病機轉為下列那組染色體轉位形成 RARA::PML融合基因? (A)t(1;22)染色體轉位 (B)t(6;9)染色體轉位 (C)t(8;21)染色體轉位 (D)t(15;17)染色體轉位
14. 依現行作業規定,有關公文擬辦方式,何時適用「以稿代簽」? (A) 文稿內容須另為說明或對以往處理情形須酌加析述之案件 (B) 例行承轉之案件 (C) 牽涉較廣,會商未獲結論案件 (D) 須限時辦發不及先行請示之案件
17.下列何者不是 loop diuretics 之臨床適應症? (A)hypokalemia (B)acute renal failure (C)acute pulmonary edema (D)hypertension
26. 有關稽納二極體之敘述,下列何者正確? (A)稽納崩潰時其稽納電壓為負溫度係數 (B)累增崩潰時其稽納電壓為負溫度係數 (C)累增崩潰是由於電場效應增強所引發 (D)稽納崩潰是由於熱效應增強所引發
15. BJT電晶體工作在主動區的正確偏壓為(A) EB接面逆向偏壓 CB接面順向偏壓 (B) EB接面順向偏壓 CB接面逆向偏壓 (C) EB接面順向偏壓 CB接面順向偏壓 (D) EB接面逆向偏壓 CB接面逆向偏壓