100年 - 100 專技高考_電機工程技師：電子學（包括電力電子學）#38826

科目：電子學（包括電力電子學） | 年份：100年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：電子學（包括電力電子學）

選擇題 (0)

申論題 (7)

【已刪除】一、如圖一所示將B端接地，A端加 + 20 V直流電壓，求AB端之等效電容值，假設D1、 D2 為相同之P-N二極體，R1 = 1 kΩ，R2 = 2 kΩ，矽之相對介電常數為 11.8，二極體之 built-in voltage為 0.85 V，P型半導體之acceptor濃度N_A = 3 × 10¹⁸ cm^-3，N型半導體之donor濃度N_D = 3 × 10¹⁶ cm^-3，n_i值為 1.5 × 10¹⁰ cm^-3，二極體截面積為 0.02 cm² ，ε₀ = 8.854 × 10^-12 F/m。（20 分）

⑴求Q1、Q2 之DC集極電流（collector current）I_C1及I_C2 =？

⑵求電壓增益Vo/Vi =？（V_T = kT/q = 25 mV）（20 分）

【已刪除】三、如圖三所示電路，其中Q1 之g_m1和Q2 之g_m2皆為 5 mA/V，R1 = R2 =4 kΩ，R3 = 1 kΩ， R4 = R5 = 22 kΩ，R6 = R7 = 5 kΩ，假設忽略r₀之影響，請計算此電路之電壓增益 Vo/V1 =？（20 分）

⑴T(s) = K/[1 + (s/ω₀)] 分別畫出，包含Magnitude Response和Phase Response，並同時將實際之響應曲線趨勢畫出，並標示Bode Plots之重要參數，包含相角變化和頻率的關係，增益大小變化和頻率的關係，同時說明這些關係的意義，請同時詳細說明 3 dB點之意義，3 dB點由電子電路的什麼參數決定，以及Bode Plots的用途。（20 分）

⑵T(s) = K[s/(s + ω0)]之Bode Plots（波德圖）

五、請畫元件結構圖和 I-V（電流-電壓）關係圖，說明 SCR（silicon-controlled rectifier）及 GTO（gate turn off thyristor）之原理，同時說明在同樣的矽晶片大小及條件下，所製作之 SCR 及 GTO 功率額定值之差異。（20 分）