複選題
64. 下列哪些因素會影響 MOSFET 的切換損失？
(A)切換頻率
(B)汲源極電壓
(C)導通電流
(D)導通責任週期。

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統計： A(5), B(5), C(3), D(2), E(0) #1112302

詳解 (共 1 筆)

#4819852

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為電子占多數的N通道型與電洞占多數的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。(WIKI)

切換頻率
汲源極電壓
導通電流 

會影響 MOSFET 的切換損失 

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