1.假設在室溫下之矽半導體本質濃度為n_i=1.5×10¹⁰ cm^-3，當摻雜的磷原子濃度為10¹⁵ cm^-3時，則此半導體之電洞濃度為何？
(A) 2.25×10¹⁰cm^-3
(B) 1.5×10¹⁰ cm^-3
(C) 2.25×10⁵ cm^-3
(D) 1.5×10⁵ cm^-3

阿摩線上測驗 · 2026-04-17T10:38:40+08:00

1.假設在室溫下之矽半導體本質濃度為ni=1.5×1010 cm-3，當摻雜的磷原子濃度為1015 cm-3時，則此半導體之電洞濃度為何？ (A) 2.25×1010 cm-3 (B) 1.5×1010 cm-3 (C) 2.25×105 cm-3 (D) 1.5×105 cm-3

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