1. 有關半導體特性的敘述,下列何者正確?
(A)當加逆向偏壓於PN接面時,空乏區會變窄
(B)在本質半導體摻雜五價元素,可形成N型半導體
(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體
(D) N型半導體中的多數載子為電洞

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統計: A(9), B(314), C(17), D(6), E(0) #1917331

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#3183304
(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N...
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#3183296
(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N...
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#2655589
未解鎖
5A族->n型3A族->P型...
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