1. 有關各種N通道場效電晶體偏壓於飽和區(定電流區)工作，下列敘述何者正確？
(A) VGS 皆需大於零才可使汲極端流入電流正常操作(ID＞0)
(B) VGS 小於零皆可使汲極端流入電流正常操作(ID＞0)
(C) FET內部通道靠近汲極處形成之通道較窄
(D) FET內部通道靠近汲極處形成之空乏區較窄

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統計： A(29), B(13), C(57), D(21), E(0) #2283034

詳解 (共 1 筆)

#4649340
(A)N 通道 JFET 飽和區：0＞V...
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