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試卷名稱：110年 - 台灣電力公司 110 年度新進僱用人員甄試試題:專業科目 A（電子學）#98715
年份：110年
科目：台電◆電子學
13. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？(
為閘極至源極之電壓)
(A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在
(B)空乏型N通道MOSFET其
可接負電壓或正電壓
(C)增強型P通道MOSFET其
若接正電壓，則無法建立通道
(D)增強型N通道MOSFET臨界電壓
之值為正
