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試題詳解

試卷：111年 - 111 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#107787 | 科目：台電◆電子學

試卷資訊

試卷名稱：111年 - 111 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#107787

年份：111年

科目：台電◆電子學

18. 有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓VT= -2.5，若汲極電壓VD= 4 V，源極電壓VS= 8 V， 直流閘極電壓VG= 3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？
(A)飽和區
(B)歐姆區
(C)截止區
(D)逆向工作區
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