試題詳解

試卷：114年 - 11600 電力電子乙級工作項目 02：零組件認識與使用 1-67（2025/12/12 更新）#134840 | 科目：技檢◆電力電子-乙級

試卷名稱：114年 - 11600 電力電子乙級工作項目 02：零組件認識與使用 1-67（2025/12/12 更新）#134840

年份：114年

科目：技檢◆電力電子-乙級

18. MOSFET 由於輸入阻抗高，受靜電打穿其絕緣層（SiO2）之可能性比JFET 來得
(A)大
(B)小
(C)相等
(D)不一定。

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