2. 有一矽半導體在溫度 T = 300 o K 下，本質載子濃度 ni為 5 × 1012 cm-3，若掺雜五價的雜質， 且雜質濃度為 1016 cm -3 ，此時電洞濃度為 p，電子濃度為 n，則 p+n 約為：
(A) 1016 cm -3
(B) 108 cm -3
(C) 5 × 1012 cm -3
(D) 5 × 104 cm -3

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統計： A(18), B(5), C(10), D(7), E(0) #716701