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高中技藝◆數位電子
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110年 - 110 全國高級中等學校學生技藝競賽考試_工業類:數位電子#138770
> 試題詳解
20.如圖(十一)之MOSFET數位電路，此電路實現了何種邏輯閘？
(A) AND
(B) OR
(C) NAND
(D) NOR
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1.假設在室溫下之矽半導體本質濃度為ni=1.5×1010 cm-3，當摻雜的磷原子濃度為1015 cm-3時，則此半導體之電洞濃度為何？ (A) 2.25×1010 cm-3 (B) 1.5×1010 cm-3 (C) 2.25×105 cm-3 (D) 1.5×105 cm-3
#3863973
2.已知一理想的變壓器其初級線圈之電流I1=1A，次級線圈之電流I2=2A，輸出負載電阻RL=5Ω，求初級線圈之電壓V1？ (A) 20 V (B) 10 V (C) 5 V (D) 2 V
#3863974
3.如圖(一)所示之二極體電路，假設二極體順向導通電壓為0.7V，輸入電壓vi為1kHz，±10V之方波，則輸出電壓vo之平均值為何？ (A) 1 V (B) -3.65 V (C) 2.7 V (D) -1.35 V
#3863975
4.已知一串級放大器之總功率增益為20dB，輸入電流ii=0.2A，輸入阻抗Ri=1kΩ，負載電阻RL=4kΩ，求輸出電流io？ (A) 4 A (B) 2 A (C) 1 A (D) 0.5 A
#3863976
5.下列何種串級放大器之低頻響應衰減最小？ (A) RC耦合 (B) 變壓器耦合 (C) 電感耦合 (D) 直接耦合
#3863977
6.如圖(二)所示之雙極性電晶體(BJT)電路，假設其β=99，VBE=0.7V，且VCE(sat)=0.2V，求射極電流IE？ (A) 86 mA (B) 10.66 mA (C) 9.8 mA (D) 0 A
#3863978
7.如圖(三)所示之雙極性電晶體(BJT)電路，假設其β=99，VEB=0.7V，若想要設計使輸出電壓VO接近0V，則電阻R的值應為何？ (A) 1.32 kΩ (B) 2.28 kΩ (C) 3.2 kΩ (D) 4.7 kΩ
#3863979
8.下列何種放大器具有高電壓增益，與低輸入阻抗的特性？ (A) 共源極( CS )放大器 (B) 共集極( CC )放大器 (C) 共射極( CE )放大器 (D) 共基極( CB )放大器
#3863980
9.如圖(四)所示為一共射極(CE)放大器之小信號等效電路，求此電路之電壓增益AV為何？ (A) -gm(ro||RC) (B) -gm(ro/rπ) (C) -(ro||RC)/rπ (D) -(ro||RC)/(rπ||RB)
#3863981
10.如圖(五)所示為一理想運算放大器(OPA)電路，求VO為何？ (A) -4 V (B) +4 V (C) -8 V (D) +8 V
#3863982
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