32. 如右圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃ 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)， g_m1= 0.5mA⁄V，Q₃ 與 Q₂ 的通道寬度比W ₃⁄W₂=1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多少？
(A) 70
(B) 80
(C) 90
(D) 100

阿摩線上測驗 · -0001-11-30T00:00:00+08:06

32. 如右圖之電路，假設MOSFET Q1、Q2、Q3 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)， gm1= 0.5mA⁄V，Q3 與 Q2 的通道寬度比W 3⁄W2=1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多少？ (A) 70 (B) 80 (C) 90 (D) 100

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統計： A(9), B(27), C(119), D(10), E(0) #1539316

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JP_Xavier

B2 · 2020/10/05

#4299849

算是電流鏡的題目通道寬度影響 ID 所...

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Wu_2383

B1 · 2020/02/25

#3798252

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2023/09/01

私人筆記#5427461

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32. 如右圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃ 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)， g_m1= 0.5mA⁄V，Q₃ 與 Q₂ 的通道寬度比W ₃⁄W₂=1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多少？
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(B) 80
(C) 90
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(A) 70
(B) 80
(C) 90
(D) 100