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109年 - 109 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#86565
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32. BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致Ic值在順向作用區(forward active region)時,會隨著VCE值增加而產生何種變化?
(A)增加
(B)減少
(C)不變
(D)不一定
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統計:
A(133), B(75), C(4), D(1), E(0) #2336962
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/06
私人筆記#7617572
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33. NMOS較PMOS之應用更為廣泛,其原因為何? (A) NMOS製程較為簡單 (B)電子比電洞具有較大的移動率 (C)電子比電洞具有較小的移動率 (D)電子比電洞具有較大的擴散常數
#2336963
34. 一周期性脈波訊號其正峰值為+10 V,負峰值為-2 V。若此信號的平均值為+2.8 V,則工作週 期(duty cycle)為何? (A) 80 % (B) 70 % (C) 50 % (D) 40 %
#2336964
35. 兩個二極體 p 極相連是否可以作為BJT放大器使用? (A)是,可正常作為放大器使用 (B)否,須改為 n 極相連 (C)否,因基極寬度過大,載子容易復合,集極電流無法受控 (D)否,因基極寬度過大,載子不易復合,集極電流無法受控
#2336965
36. 增強型NMOS的VDS = 4 V,元件參數Kn= 0.5 mA/V2 ,臨限電壓Vt = 2 V,ID = 2 mA,若忽略 通道長度調變效應,VGS值為何? (A) -2 V (B) 4 V (C) 4.5 V (D) 5 V
#2336966
37. 一功率放大器之直流輸入功率為100 W,交流輸出功率為86 W,其類型為何? (A) A類 (B) B類 (C) C類 (D) AB類
#2336967
39. 相對於單級放大器,有關串級放大器的增益與頻寬之描述,下列何者正確? (A)增益變大,頻寬變寬 (B)增益變大,頻寬變窄 (C)增益變小,頻寬變寬 (D)增益變小,頻寬變窄
#2336969
40. 在絕對零度 (0°K ) 時,於本質半導體之兩端加一電壓,若本質半導體並未發生崩潰,則在本 質半導體內狀態為何? (A)有電子流,沒有電洞流 (B)有電子流也有電洞流 (C)沒有電子流,有電洞流 (D)沒有電子流也沒有電洞流
#2336970
41. 某矽二極體之PN接面於25 °C時,其逆向飽和電流為5 nA,當此PN接面溫度上升至65 °C時, 其逆向飽和電流為何? (A) 80 nA (B) 40 nA (C) 20 nA (D) 10 nA
#2336971
42. NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.125 %在基極與電洞結合,其餘 99.875 % 被集極收集,則此電晶體之β值為何? (A) 199 (B) 299 (C) 399 (D) 799
#2336972
43. 如右圖所示,假設兩顆理想二極體具有完全一樣之特性,且並未發生 崩潰,請問何者所跨的壓降較大? (A) D1 (B) D2 (C)一樣 (D)無法確定
#2336973
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