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高中技藝◆數位電子
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112年 - [無官方正解]112 全國高級中等學校學生技藝競賽考試_工業類:數位電子#138206
> 試題詳解
33. 一個 20H 之電感器，若通過此電感器的電流為 1A，求其儲存的能量為何？
(A) 10 J
(B) 15 J
(C) 20 J
(D) 40 J
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1. 氮化鎵(GaN)是一種第三代半導體，已知氮的原子序是 7，鎵的原子序是 31，則根 據波耳(Bohr)原子結構模型，鎵原子在電子軌道最外層的電子數目有幾個？ (A) 2 (B) 3 (C) 4 (D) 5
#3847617
2. 假設一 PN 二極體，左邊是 P 型材料，右邊是 N 型材料，則當有一個電子進入此 PN 二極體之空乏區(Depletion region)時，該電子會受到空乏區內電場的影響往那 個方向移動？ (A) 上 (B) 下 (C) 左 (D) 右
#3847618
3. 如圖(一)所示之二極體電路，假設Vi (?) = 10cos377t, V，二極體順向導通電壓為 0.7 V，則流經 1 kΩ電阻之電流最大值為何？ (A) 1.26 mA (B) 1.54 mA (C) 2.46 mA (D) 2.6 mA
#3847619
4. 如圖(二)所示之二極體電路，假設二極體為理想二極體，變壓器線圈之圈數比 N1: N2 = 4: 1，且Vi為一正弦波電壓信號其有效值為10 V，求穩態之輸出電壓Vo為何？ (A)10 V (B) 10 V (C) 20 V (D) 20V
#3847620
5. 通常金屬包裝的功率電晶體其外殼代表的是那一個接腳？ (A) B (B) C (C) E (D) 未定義
#3847621
6. 如圖(三)所示之 PNP 雙極性電晶體(BJT)電路，假設其α= 0.99，VEB = 0.7 V，則 此電晶體工作在那一區？(A) 順向主動放大區 (B) 截止區 (C) 飽和區 (D) 逆向主動放大區
#3847622
7.則直流工作點VCEQ和ICQ分別為何？ (A) VCEQ = 0.2 V，ICQ= 32.7 mA (B) VCEQ = 2.02 V，ICQ= 26.6 mA (C) VCEQ= 5.92 V，ICQ = 13.6 mA (D)VCEQ = 7.1 V，ICQ= 9.6 mA
#3847623
8. 同上題之電路，假設RC電阻接錯了，接成RC = 2 kΩ，則此電路之IC/IB比值為何？ (A) 38.8 (B) 47.6 (C) 63.2 (D) 99
#3847624
9. 如圖(五)所示為一共基極(CB)放大器，假設RE= 2.3 kΩ，RC = 500Ω，β = 100， 且小信號電阻re = 25Ω，求此放大器之電壓增益AV為何？ (A) 4.6 V/V (B) 19.8 V/V (C) 45.5 V/V (D) 91.1 V/V
#3847625
10. 如圖(六)所示之 N 通道接面型場效電晶體(JFET)電路，假設 JFET 工作在夾止飽和 區，且已知其夾止電壓(Pinch-off voltage)VGs(p) = −2 V，夾止飽和電流IDSS = 16 mA， 求此電路之VDS為何？ (A) 3 V (B) 2 V (C) 1 V (D) 0 V
#3847626
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