試卷名稱:114年 - 114 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題:電子學#127359
年份:114年
科目:台電◆電子學
7.下列有關MOSFET之敘述,何者有誤?(A)閘極與源極間的直流電阻接近無窮大(B)增長型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同(C)閘極與通道(Channel)間,一般是使用二氧化矽(SiO2)阻隔(D)空乏型在製造上比增長型增加離子佈植(IonImplantation)手續