7.下列有關MOSFET之敘述，何者有誤？
(A)閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
(B)增長型之P型MOSFET與空乏型之N型MOSFET特性完全相同
(C)閘極與通道(Channel)間，一般是使用二氧化矽(SiO2)阻隔
(D)空乏型在製造上比增長型增加離子佈植(IonImplantation)手續

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統計： A(1), B(13), C(0), D(0), E(0) #3449948

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#6735816
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私人筆記#7430077
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私人筆記#7499455
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? MOSFET 基本分類： MOSF...
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