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105年 - 105 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#63791
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8. 某電晶體在主動區工作,且其α值為0.99,I
B
= 10 μA,則I
C
=?
(A)
9.9 μA
(B) 99 μA
(C) 990 μA
(D) 9900 μA
答案:
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統計:
A(8), B(19), C(217), D(1), E(0) #1635723
詳解 (共 1 筆)
皓皓
B1 · 2020/09/23
#4283451
Ic = B IB = α/(1-α)...
(共 53 字,隱藏中)
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9. 有關理想電壓源的特性,下列何者正確? (A)輸出呈電容性 (B)電路內阻= ∞ (C)輸出電流恆定 (D)電路內阻= 0
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10. 當電阻值RB約為多少時,右圖中之A類放大電路能有最大功率輸 出(即Q點位於負載線中間處)? (A) 25.95 kΩ (B) 34.60 kΩ (C) 51.90 kΩ (D) 69.20 kΩ
#1635725
11. 如右圖所示電晶體電路,假設輸入信號Vs為交流小信號且 無直流成分,又電晶體的ro可忽略,則右圖之輸入電阻Rin 為? (A) β[re+2.65 kΩ] (B) (1+β)[ re +3 kΩ] (C) (1+β)[ re +2.65 kΩ] (D) (1+β)[ re +2.65 kΩ∥3 kΩ]
#1635726
12. 有關BJT與FET之比較,下列何者正確? (A) BJT製作面積比FET小 (B)一般來說,FET作為放大器的雜訊較大 (C) BJT是雙載子元件,FET是單載子元件 (D) FET不會發生歐力效應(Early Effect)
#1635727
13. 某一增強型MOSFET之VDS = 4 V,導電參數K= 0.8 mA/V2 ,臨界電壓VT = 2 V,VGS = 5 V,則汲 極電流ID應為多少? (A) 3.6 mA (B) 5.4 mA (C) 7.2 mA (D) 19.2 mA
#1635728
14. 某一JFET的IDSS= 12 mA,VP= -2 V,則當汲極電流ID= 3 mA時,其VGS為多少? (A) -1 V (B) -2 V (C) -3 V (D) -6 V
#1635729
15. 某一JFET操作在夾止(pinch-off)區,如其IDSS= 10 mA,夾止電壓VP= -5 V,VGS= -3 V,則其小 信號之互導(transconductance) gm為? (A) 0.8 mA/V (B) 1.2 mA/V (C) 1.6 mA/V (D) 2.0 mA/V
#1635730
16. 某一電路的轉移函數為 ,求其增益頻寬乘積為? (A) 100 kHz (B) 200 kHz (C) 300 kHz (D) 400 kHz
#1635731
17. 在雙極性電晶體的共射極組態中,作用區常被用來放大信號,主要是因為在該區有何特性? (A) Ic約等於ICBO (B)輸入阻抗極高 (C) Ic與IB無關 (D)電晶體對輸入電流反應極為靈敏
#1635732
18. 有一個額定輸出為80 W的放大器連接至20 Ω的揚聲器上,若放大器的電壓增益為60 dB,則當 此放大器以額定輸出時,其輸入電壓為多少? (A) 40 mV (B) 60 mV (C) 80 mV (D) 160 mV
#1635733
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