電子移動率(英語:electron mobility)是固態物理學中用於描述金屬或半導體內部電子,在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中,另一個類似的物理量稱為電洞遷移率(hole mobility)。人們常用載子遷移率(carrier mobility)來指代半導體內部電子和電洞整體的運動快慢。
漂移速度 - 維基百科,自由的百科全書 (wikipedia.org)漂移速度(Drift Velocity),是指一個粒子(例如電子)因為電場的關係而移動的平均速度。
因為電流和漂移速度成正比,經多番推導後可得出其量值亦和電場量值成正比例,當中的推導過程可以歐姆定律解釋。
漂移速度可以用以下公式表達:
,{\displaystyle J_{\it {drift}}}
是電流密度,σ是以C/m3為單位的電荷密度,vavg是載體的平均速度(即漂移速度);
, μ是以 m2/(V·s)為單位的電子遷移率,而E是以V/m為單位的電場強度。