申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：104年 - 104 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#22475
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

四、在 T = 300 K 時，有一金屬與 Si 接觸，其接面形成之平衡能帶如下圖所示，呈現整流態（rectifying metal-Si contact），設此 Si 之雜質摻雜濃度為 10^-16 cm ^-3，試求：

(一)此金屬∕Si 接觸之 Schottky 能障，Ф_B，及空乏區寬度，W，各為何？（10 分）