(三)承(二)情況，利用 Nernst 極？（10 分）

(一)在 MOS 元件中，其氧化層內或氧化層與 Si 的介面處通常都會存在某些缺陷電荷（defect charge），例如氧化陷阱電荷（oxide trapped charge）、可移動離子電荷（mobile ion charge）、固定電荷（fixed charge）或介面陷阱電荷（interface trapped charge）等。試說明上述缺陷電荷之由來，並畫一金氧半（metal/SiO2/Si）的結構圖，標出上述四種缺陷電荷所在的位置。（15 分）