申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#81604
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

二、有一金-半二極體（M-S diode），設半導體端內部之雜質濃度呈線性漸變（linearly graded），即 ND = ax，其中 a 為製程參數，試求：

(一)利用空乏近似法（depletion approximation method）求出此二極體半導體端內部之電荷密度 ρ(x)，電場強度ε (x)，以及空乏區的寬度 W(VA) （depletion width）。（15 分）