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申論題資訊

試卷:108年 - 108 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#81604
科目:半導體工程
年份:108年
排序:0

題組內容

二、有一金-半二極體(M-S diode),設半導體端內部之雜質濃度呈線性漸變 (linearly graded),即 ND = ax,其中 a 為製程參數,試求:

申論題內容

(二)利用(一)的結果求出此金-半二極體之小信號電容(small signal capacitance)為何?(10 分)