申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#81604
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

三、請回答下列問題：

(二)設有 NMOS 元件與 PMOS 元件各一個，它們的閘極氧化層（gate oxide）中同樣都存在有 10¹¹ cm ^-2的可移動離子電荷，現將此兩元件同置放在高溫中啟動（turned on）數個小時，試問那一個元件的臨界電壓受影響會較大？並說明理由。（10 分）