申論題

三、請回答下列問題：

(一)在 MOS 元件中，其氧化層內或氧化層與 Si 的介面處通常都會存在某 些缺陷電荷（defect charge），例如氧化陷阱電荷（oxide trapped charge）、可移動離子電荷（mobile ion charge）、固定電荷（fixed charge） 或介面陷阱電荷（interface trapped charge）等。試說明上述缺陷電荷 之由來，並畫一金氧半（metal/SiO2/Si）的結構圖，標出上述四種缺 陷電荷所在的位置。（15 分）