申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：114年 - 114 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#128720
科目：半導體工程
年份：114年
排序：0

(二)在金氧半場效電晶體模型（MOSFET model）有一表面遷移率（surface
，它和一般塊晶體（bulk crysral）的遷移率比較，何者的值比
mobility）
較高？請說明原因。（10 分）