(二)在金氧半場效電晶體模型（MOSFET model）有一表面遷移率（surface ，它和一般塊晶體（bulk crysral）的遷移率比較，何者的值比 mobility）較高？請說明原因。（10 分）

三、(一)對於工作在主動模式（active mode）的 npn 雙極性接面電晶體（bipolar ，即射極－基極接面（EBJ）順向偏壓，集極－基 junction transistor，BJT）極接面（CBJ）反向偏壓。假設由射極注入至基極的少數載子濃度在 EBJ 相鄰的中性基極處為 np(0)，而在相鄰 CBJ 的中性基極處的少數濃度為 np(WB)。假設基極層的厚度 WB，此厚度遠低於電子在基極層的擴散長度 Ln，即 WB ＜＜ Ln，請寫出流經此 p 型基極層的電子電流密度方程式。（10 分）