申論題

P通道MOSFET的I-V曲線通常有三個主要區域：截止區、線性區（或三角區）、飽和區（或四邊形區）。

截止區（Cutoff Region）:

這是V_GS小於（在絕對值上大於，因為我們講的是P通道MOSFET）臨界電壓V_TH的情況，即|V_GS| < |V_TH|。
在這個區域，汲極電流I_D幾乎為零，因為通道尚未形成。
線性區（Ohmic/Triode Region）:

當|V_GS| > |V_TH|，且V_DS不夠大以至於晶體管尚未飽和時，晶體管工作在線性區。
在這個區域，I_D隨著V_DS的增加而增加，幾乎像一個電阻器。
飽和區（Saturation Region）:

當|V_GS| > |V_TH|且V_DS大到足夠使晶體管進入飽和時，即V_DS > V_GS - V_TH。
在這個區域，I_D不再隨著V_DS的增加而增加，它由V_GS決定，並且趨於一個常數值。