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申論題資訊

試卷:112年 - 112 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#118133
科目:半導體工程
年份:112年
排序:0

題組內容

四、雙載子接面電晶體(BJT) :

申論題內容

(二)請敘述「高注入效應(high injection effect)」,並說明其對於 BJT 共射極電流增益(β)之影響。(10 分)